TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.75 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F8 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 130 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 130 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 14 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| BLF246B | BLF521 | BLF542 | BLF404 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SOT-171A, 6 PIN, FET RF Power | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8 | CERAMIC PACKAGE-4 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V | 40 V | 65 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A | 1 A | 1.5 A | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 8 A | 1 A | 1.5 A | 1.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F8 | O-CRDB-F4 | R-CDFM-F6 | R-CDSO-G8 |
| 元件数量 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 4 | 6 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | DISK BUTTON | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | RADIAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 外壳连接 | ISOLATED | SOURCE | ISOLATED | - |
| 功耗环境最大值 | 130 W | 10 W | 20 W | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 130 W | 10 W | - | 8.3 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 14 dB | 10 dB | 13 dB | - |
| 针数 | - | 4 | 6 | 8 |
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