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BLF521: 产品描述TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小11KB，共2页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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BLF521概述

TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal

BLF521规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	CERAMIC PACKAGE-4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1 A
最大漏极电流 (ID)	1 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	10 W
最大功率耗散 (Abs)	10 W
最小功率增益 (Gp)	10 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

BLF521相似产品对比

	BLF521	BLF246B	BLF542	BLF404
描述	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal	TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SOT-171A, 6 PIN, FET RF Power	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	CERAMIC PACKAGE-4	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	40 V	65 V	65 V	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1 A	8 A	1.5 A	1.5 A
最大漏极电流 (ID)	1 A	8 A	1.5 A	1.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4	R-CDFM-F8	R-CDFM-F6	R-CDSO-G8
元件数量	1	2	1	1
端子数量	4	8	6	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	DISK BUTTON	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	GULL WING
端子位置	RADIAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
针数	4	-	6	8
外壳连接	SOURCE	ISOLATED	ISOLATED	-
功耗环境最大值	10 W	130 W	20 W	-
最大功率耗散 (Abs)	10 W	130 W	-	8.3 W
最小功率增益 (Gp)	10 dB	14 dB	13 dB	-
厂商名称	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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