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HY62QF8200LLM-10

产品描述Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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文件大小185KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62QF8200LLM-10概述

Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62QF8200LLM-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度9.25 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)2.8 V
最小供电电压 (Vsup)2.2 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6.7 mm
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