HY62CT08081E-DT85E概述

Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

HY62CT08081E-DT85E规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e6
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm

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	HY62CT08081E-DT85E	HY62CT08081E-DP70I	HY62CT08081E-DT70E	HY62CT08081E-DP70C	HY62CT08081E-DT70C	HY62CT08081E-DT85I	HY62CT08081E-DT85C
描述	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
零件包装代码	TSOP	DIP	TSOP	DIP	TSOP	TSOP	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	DIP, DIP28,.6	TSOP1, TSSOP28,.53,22	DIP, DIP28,.6	TSOP1, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	85 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	85 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm	37 mm	11.8 mm	37 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bi	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-	-	-40 °C	-
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	DIP	TSOP1	DIP	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	DIP28,.6	TSSOP28,.53,22	DIP28,.6	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	4.826 mm	1.2 mm	4.826 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.55 mm	2.54 mm	0.55 mm	2.54 mm	0.55 mm	0.55 mm	0.55 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	15.24 mm	8 mm	15.24 mm	8 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-
JESD-609代码	e6	-	e6	e0	e6	e6	e6
端子面层	TIN BISMUTH	-	TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH

HY62CT08081E-DT85E

HY62CT08081E-DT85E概述

HY62CT08081E-DT85E规格参数

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