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MMDF4207R2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共12页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMDF4207R2概述

Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

MMDF4207R2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.8 A
最大漏极电流 (ID)4.8 A
最大漏源导通电阻0.033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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