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SVD640T

产品描述中低压功率MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小458KB,共8页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
下载文档 详细参数 全文预览

SVD640T概述

中低压功率MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:200


Type:N


VGS[±V]:20


ID[A]:18


VGS(TH)[V]: 2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[MΩ]:150


Package:TO-220-3L

SVD640T规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻150mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150W(Tc)
类型N沟道
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