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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHSLNA54Z60
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IRHSLNA54Z60

产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB，共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHSLNA54Z60概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN

IRHSLNA54Z60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.004 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD-94400B
RAD-HARD
SYNCHRONOUS RECTIFIER
SURFACE MOUNT (SMD-2)
Product Summary
Part Number
IRHSLNA57Z60
IRHSLNA53Z60
IRHSLNA54Z60
IRHSLNA58Z60
Radiation Level
100K Rads (Si)
300K Rads (Si)
600K Rads (Si)
1000K Rads (Si)
R
DS(on)
4.0mΩ
4.0mΩ
4.0mΩ
4.5mΩ
Q
G
200nC
200nC
200nC
200nC
SMD-2
IRHSLNA57Z60
30V, N-CHANNEL
Description:
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs
and Schottky diodes offers the designer an innovative,
board space saving solution for switching regulator and
power management applications. RAD-Hard MOSFETs
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier’s low forward
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient
device suitable for use in a wide variety of Military and
Space applications.
Features:
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET
n
n
n
n
n
and Schottky Diode
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters up to 75A Output
Low Conduction Losses
Low Switching Losses
Low Vf Schottky Rectifier
Refer to IRHSNA57Z60 for Lower Rds(on)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
IF (AV)@ TC = 25°C
IF (AV)@ TC =100°C
TJ, TSTG
Continuous Drain or Source Current
Continuous Drain or Source Current
Pulsed Drain Current
➀
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
➃
Avalanche Current
➀
Repetitive Avalanche Energy
➀
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current
➂
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current
➂
Opeating and Storage Temperature Range
Pckg. Mounting Surface Temp.
Weight
* Current is limited by package
For footnotes refer to the last page
Pre-Irradiation
Units
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
75*
75*
-55 to 150
300 (for 5s)
3.3 (Typical)
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
A
°C
g
www.irf.com
1
03/30/04

IRHSLNA54Z60相似产品对比

IRHSLNA54Z60 IRHSLNA53Z60 IRHSLNA53Z60PBF IRHSLNA54Z60PBF IRHSLNA57Z60 IRHSLNA57Z60PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant compliant compliant not_compliant compliant
雪崩能效等级（Eas） 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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