IDT71T024L200BFI概述

Standard SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46

IDT71T024L200BFI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
针数	46
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B46
JESD-609代码	e0
长度	8.9 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	46
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	1.8/2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.000005 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.009 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	6.9 mm

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IDT71T024L200BFI相似产品对比

	IDT71T024L200BFI	IDT71T024L200BF	IDT71T024L150BFI	IDT71T024L150BF
描述	Standard SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
针数	46	46	46	46
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	_compli	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	150 ns	150 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B46	R-PBGA-B46	R-PBGA-B46	R-PBGA-B46
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	8.9 mm	8.9 mm	8.9 mm	8.9 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	46	46	46	46
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
电源	1.8/2.7 V	1.8/2.7 V	1.8/2.7 V	1.8/2.7 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.009 mA	0.009 mA	0.011 mA	0.011 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	6.9 mm	6.9 mm	6.9 mm	6.9 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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