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SG2805L/883B

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共2页
制造商Linfinity Microelectronics
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SG2805L/883B概述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin,

SG2805L/883B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Linfinity Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码S-CQCC-N20
元件数量8
端子数量20
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.6 V

SG2805L/883B相似产品对比

SG2805L/883B SG2822L/883B SG2822J/883B SG2822J SG2822L JAN2805J SG2805L
描述 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin, Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 8-Element, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin, Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 18 Pin, Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 18 Pin, Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 20 Pin,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 95 V 95 V 95 V 95 V 50 V 50 V
配置 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 S-CQCC-N20 R-CDIP-T18 R-CDIP-T18 S-CQCC-N20 R-CDIP-T18 S-CQCC-N20
元件数量 8 8 8 8 8 8 8
端子数量 20 20 18 18 20 18 20
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO NO YES NO YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL QUAD
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN NPN
参考标准 MIL MIL MIL - - MIL -
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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