EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Catalyst |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.55 mm |
| 最大待机电流 | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| CAT28LV256GI-20 | CAT28LV256GI-25 | 2N971 | CAT28LV256H13I-20 | CAT28LV256LI-25 | CAT28LV256LI-20 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28 | EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Catalyst | Catalyst | - | Catalyst | Catalyst | Catalyst |
| 零件包装代码 | QFJ | QFJ | - | TSOP | DIP | DIP |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | - | 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 32 | 32 | - | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 250 ns | - | 200 ns | 250 ns | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO | - | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | - | YES | YES | YES |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | - | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | - | R-PDSO-G28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | - | 11.8 mm | 36.695 mm | 36.695 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | - | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | - | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | - | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | - | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | - | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | - | TSOP1 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | - | TSSOP28,.53,22 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | IN-LINE | IN-LINE |
| 页面大小 | 64 words | 64 words | - | 64 words | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3 V | - | 3 V | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.55 mm | 3.55 mm | - | 1.2 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.00015 A | 0.00015 A | - | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA | 0.015 mA | - | 0.015 mA | 0.015 mA | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | - | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | - | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 0.55 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | - | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - | 40 | 40 | 40 |
| 切换位 | YES | YES | - | YES | YES | YES |
| 宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | - | 8 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | - | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
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