CAT28LV256H13I-20,CAT28LV256H13I-20 pdf中文资料,CAT28LV256H13I-20引脚图,CAT28LV256H13I-20电路-Datasheet-电子工程世界

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CAT28LV256H13I-20: 产品描述EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28; 产品类别存储存储; 文件大小344KB，共12页; 制造商Catalyst; 官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/; 标准

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CAT28LV256H13I-20概述

EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28

CAT28LV256H13I-20规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Catalyst
零件包装代码	TSOP
包装说明	8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e3
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

CAT28LV256H13I-20相似产品对比

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描述	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28	EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32	GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32	EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Catalyst	Catalyst	-	Catalyst	Catalyst	Catalyst
零件包装代码	TSOP	QFJ	-	QFJ	DIP	DIP
包装说明	8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP-28	QCCJ, LDCC32,.5X.6	-	QCCJ, LDCC32,.5X.6	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6
针数	28	32	-	32	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	-	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	250 ns	-	200 ns	250 ns	200 ns
命令用户界面	NO	NO	-	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	-	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PQCC-J32	-	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3	e3	-	e3	e3	e3
长度	11.8 mm	13.97 mm	-	13.97 mm	36.695 mm	36.695 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	-	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	-	8	8	8
功能数量	1	1	-	1	1	1
端子数量	28	32	-	32	28	28
字数	32768 words	32768 words	-	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	-	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	32KX8	-	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	QCCJ	-	QCCJ	DIP	DIP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	LDCC32,.5X.6	-	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	CHIP CARRIER	-	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE
页面大小	64 words	64 words	-	64 words	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
编程电压	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	3.55 mm	-	3.55 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.00015 A	0.00015 A	-	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA	-	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	J BEND	-	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	0.55 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	-	QUAD	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	-	40	40	40
切换位	YES	YES	-	YES	YES	YES
宽度	8 mm	11.43 mm	-	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	-	10 ms	10 ms	10 ms

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