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KM48V2004ALLT-8

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
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文件大小631KB,共21页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM48V2004ALLT-8概述

EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

KM48V2004ALLT-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2, TSOP28,.46
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP28,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

KM48V2004ALLT-8相似产品对比

KM48V2004ALLT-8 KM48V2004ALLT-7 KM48V2004ALLJ-6 KM48V2004ALLT-6 KM48V2004ALLTR-7 KM48V2004ALLTR-8 KM48V2004ALLJ-8 KM48V2004ALLTR-6 KM48V2004ALLJ-7
描述 EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28 EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 TSOP TSOP SOJ TSOP TSOP TSOP SOJ TSOP SOJ
包装说明 TSOP2, TSOP28,.46 TSOP2, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44 TSOP2, TSOP28,.46 TSOP2-R, TSOP28,.46 TSOP2-R, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44 TSOP2-R, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44
针数 28 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 80 ns 70 ns 60 ns 60 ns 70 ns 80 ns 80 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.415 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.415 mm 18.41 mm 18.415 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2-R TSOP2-R SOJ TSOP2-R SOJ
封装等效代码 TSOP28,.46 TSOP28,.46 SOJ28,.44 TSOP28,.46 TSOP28,.46 TSOP28,.46 SOJ28,.44 TSOP28,.46 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm 3.76 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.07 mA 0.08 mA 0.09 mA 0.09 mA 0.08 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.09 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING GULL WING J BEND GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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