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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPT5551HCTR13LEADFREE
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CMPT5551HCTR13LEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小322KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPT5551HCTR13LEADFREE概述

Transistor

CMPT5551HCTR13LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)80
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMPT5551HC
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC
type is a high current NPN silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for high
voltage and high current amplifier applications.
MARKING CODE: 1FHC
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
mW
°C
°C/W
180
160
6.0
1.0
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=120V
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
VCB=120V, TA=100°C
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
MAX
50
50
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
180
160
6.0
0.15
0.20
1.00
1.00
80
80
30
10
100
15
250
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=1.0A
VCE=10V,
VCB=10V,
IC=10mA, f=100MHz
IE=0, f=1.0MHz
MHz
pF
R1 (1-February 2010)

CMPT5551HCTR13LEADFREE相似产品对比

CMPT5551HCTR13LEADFREE CMPT5551HCBK CMPT5551HCBKLEADFREE CMPT5551HCLEADFREE CMPT5551HCTR
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single SINGLE Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 80 30 80 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W - 0.35 W
针数 - 3 - 3 3
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 160 V - 160 V 160 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e0 - e3 e0
元件数量 - 1 - 1 1
端子数量 - 3 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - TIN LEAD - MATTE TIN (315) TIN LEAD
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL - DUAL DUAL
晶体管应用 - AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON

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