MT58L128L36D1B-5IT,MT58L128L36D1B-5IT pdf中文资料,MT58L128L36D1B-5IT引脚图,MT58L128L36D1B-5IT电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT58L128L36D1B-5IT

MT58L128L36D1B-5IT: 产品描述Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小605KB，共23页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

下载文档详细参数选型对比全文预览

MT58L128L36D1B-5IT概述

Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

MT58L128L36D1B-5IT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.8 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

MT58L128L36D1B-5IT相似产品对比

	MT58L128L36D1B-5IT	MT58L128L32D1B-5IT	MT58L128L32D1T-5IT	MT58L128L36D1T-5IT	MT58L128L36D1B-5	MT58L256L18D1T-5IT	MT58L128L32D1B-5
描述	Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	QFP	QFP	BGA	QFP	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	LQFP,	LQFP,	BGA,	LQFP,	BGA,
针数	119	119	100	100	119	100	119
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.8 ns	2.8 ns	2.8 ns	2.8 ns	2.8 ns	2.8 ns	2.8 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
长度	22 mm	22 mm	20 mm	20 mm	22 mm	20 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4194304 bi	4194304 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	32	32	36	36	18	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	100	100	119	100	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	262144 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	256000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-
组织	128KX36	128KX32	128KX32	128KX36	128KX36	256KX18	128KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	LQFP	LQFP	BGA	LQFP	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.4 mm	1.6 mm	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
JESD-609代码	e1	e1	-	-	e1	-	e1
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	-	-	TIN SILVER COPPER	-	TIN SILVER COPPER

推荐资源

超声波故障追踪电路

采用感应型过电流继电器构成的电流速断及过电流保护电路a

MSP430高频模式下串口配置问题急急急！！: 项目用的是msp4305438A之前用的是8M的晶振，现在换成了25M的。关于串口配置的问题查表发现数据手册上只给出了最高20M的各个位设置。同时手册上提到了一种过采样模式。这种模式支持以高输入时钟频率采样UART位流。想请教各位大神，换成25M之后是否需要过采样模式，如果需要，UCBRFx这个位该怎么设置？...; 两个人的烟火微控制器 MCU

怎样检测正在运行中的中高压Y电容?: [size=4][color=#1b1b1b][font=宋体][/font][/color][color=#1b1b1b][font=宋体]如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个Y电容器的Y电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但Y电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即Y电容的决定式为：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为Y电容极板的正对面积，d为Y电容极板的距离，k则是...; qwqwqw2088 模拟与混合信号

LM4F231在IAR下的float变量: 芯片是LM4F231, ARM M4的内核，开发环境是IAR 6.3。遇到的问题，当定义局部变量时比如 float f=1.1；时在IAR下察看local 局部变量值时发现f变量值为也没有分配变量地址。对于这一问题研究了很久，起初以为是float变量不能用局部变量，但是却可以定义局部变量数组。通过研究汇编代码发现，定义一两个局部变量时这些变量被直接分配给FPU寄存器S0-S31。而由于数组是...; yjf256156 微控制器 MCU

基于Windows CENET的嵌入式PC视频监控系统.pdf: 基于Windows CENET的嵌入式PC视频监控系统.pdf...; yuandayuan6999 单片机

ADXL345传感器振动环境下的加速度检测: 我现在用adxl345传感器来做自行车刹车检测，用X轴来检测速度变化刹车可以做到很灵敏了，但是过小颠簸的时候误判为刹车，这个程序方面要怎么优化？...; 新技术 ADI参考电路

SOPC: 亲，为什么我用Quratus II 11.0的SOPC生成的SDRAM控制器，没有SDRAM的时钟管脚呀？？？？？...; 志在千里 FPGA/CPLD

华为与谷歌的业务事件为小米敲响警钟，加大技术积累

针对“华为遭遇谷歌暂停支持部分业务、小米会否面临类似担忧”的问题，小米方面20日在财报电话会议中表示，高度重视该问题，目前对小米没有直接影响，小米已经有技术积累。小米集团今日发布2019年第一季度财报，总收入人民币438亿元，同比增长27.2%，环比减少1.5%；经调整利润21亿元，同比增长22.4%，环比增长12.3%。在今天早些时候，外媒路透社援引知情人士的说法发布“独家消息”...[详细]
小米长江产业基金入股长晶科技-半导体芯片开发公司

天眼查App显示，江苏长晶科技有限公司近日发生多项工商变更，投资人新增湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）、OPPO广东移动通信有限公司、上海摩勤智能技术有限公司等9家公司。信息显示，长晶科技于2月18日接受股权融资，投资方分别由华业天成资本、中芯聚源、惠友投资、传音控股、OPPO战略投资部、清石资本以及小米长江产业基金。同时，长晶科技的注册资本由约3.17亿人民币增加至约3.57亿人民...[详细]
联发科为何发展变慢遇瓶颈

就像一匹高速驰骋的黑马，联发科用了数年时间便从一个DVD芯片生产商转型成为了全球第二大手机芯片厂商。入行600多天，便在大陆3G手机芯片市场拿到超六成的份额。从2011年在中国大陆出货1000万颗到2012年出货1.1亿颗，创下销量年翻11倍的爆发式纪录。依靠着集成技术方案缩短生产周期、降低生产成本，以及被广称为“交钥匙”的能提供一站式解决方案的服务模式，联发科曾是中国手机市场上的翘楚。下面就随...[详细]
三星双可折叠屏手机曝光代号Project V

2015年，搭载了曲面屏的三星S6 edge让众人眼前一亮。据外媒SamMobile独家消息称，三星又将有黑科技应用到手机上来了，三星一款代号为Project Valley（亦称Project V）的新机将会搭载双面可折叠屏幕。三星双可折叠屏手机曝光代号Project V 　　据称，三星这款双面可折叠屏手机代号为Project Valley（亦称Project V），目前还处于研发...[详细]
英特尔发布教育信息化白皮书全面构建智慧教育新生态

在第77届中国教育装备展示会召开之际，英特尔在青岛举办了2019英特尔智慧教育峰会。会上，英特尔发布了《英特尔教育信息化白皮书》（下称“白皮书”），蓝鸽集团发布了基于“英特尔智慧教育端到端解决方案”的智慧校园解决方案。英特尔发布《英特尔教育信息化白皮书》乘势而上，助推教育信息化转型升级从2018年教育部发布的《教育信息化2.0行动计划》，到今年2月中共中央、国...[详细]
苹果新品加持，助推PCB供应链走俏

美国苹果股价创高，带动台湾苹果概念股展开补涨行情，其中苹果PCB供应链因苹果多款新品加持，今年营运可望再创高，法人看好臻鼎-KY（ 4958）、华通（2313）、台郡（6269）、耀华（2367）、欣兴（3037）、嘉联益（6153）今年表现。臻鼎上周股价放量大涨，去年营收突破千亿大关，跻身全球PCB龙头，去年获利亮眼，全年税后盈余高达51.72亿元，年增49.7%，每股税后盈余6.43元。全...[详细]
Intel功勋老将归来，CPU架构迎全新改革

Intel近日宣布，司睿博将在2月15日卸任CEO，曾经的功勋老将基辛格回归执掌，预示着Intel会实现一次小小的转型，更专注于工程技术。正是在基辛格的召唤下，Intel迎回了一位技术牛人：堪称酷睿i7之父的Glenn Hinton。 Glenn Hinton曾经领导研发了Nehalem架构(玩家戏称“你喝了吗”)，2008年诞生，当时与Conroe(“扣肉”)齐名，是Intel在经历...[详细]
2013年半导体展望:热点应用驱动IC增长

2012年全球经济状况持续呈现低迷景象，由于全球消费能力下降等原因，半导体行业发展备受冲击，不过高端半导体市场仍保持原有的发展势头，发展较好。中国大陆由于相关政策鼓励以及内需扩大，所以半导体行业发展较为平稳。在经历了震荡起伏之后，2013年又有哪些值得关注的“气象”呢?孙子在《势篇》中讲道：“故善战者，求之于势。”随行就“势”也是半导体行业的必修课。主流应用会持续增长市场增长驱动力一...[详细]
网络分析仪的发明和创新

世界上第一台网络分析仪8410A 基于测量射频接口和器件的需求，HP于1967年发明了第一台网络分析仪8410A。8410A的发明，把阻抗测量从纸上的史密斯圆图搬到仪器上实现精确快速测量。图1 第一台网络分析仪8410A 8410A网络分析仪工作原理框图如图2所示。图2 8410A工作原理框图当时，器件网络分析的典型工作系统如图3所示。图3 网络分析典型工作系统...[详细]
Wilder/筑波共创高速数字测试治具方案

WilderTechnologies全系列SAS、SATA、Thunderbolt、DiiVA、DisplayPort、HDMI、MHL、SFP+、QSFP+、EnergyEfficientEthernet(EEE)之高速数字测试治具，结合筑波科技长达十七年来深耕RF量测仪器买卖、租赁，立足台湾、中国华东、华南等在地化销售能量的拓展，携手高速数字电路开发IC半导体设计、模块及相关产品应用之RD...[详细]
日月光改打控股矽品：恐违反托拉斯

矽品法务长黄俊源表示，日月光迄今没有将日矽结合案向美国联邦交易委员会送件，日月光提产业控股公司，恐误触“反托拉斯”地雷。矽品晚间表示，日月光在上周公平会审理结合案时，突然更改原先向公平会申报的结合架构，从“现金收购49.7%，消灭下市并入日月光”，改成以“100%现金收购、产业控股公司”计画。矽品指出，变更结合计画，并无法消除半导体封测产业限制竞争的疑虑，只是将独占垄断者，由日...[详细]
高通携手谷歌合作扩展Android操作系统支持

日前，高通技术公司和谷歌宣布双方将合作增强并扩展 Project Treble，以助力更多搭载高通骁龙™移动平台的终端运行最新版本的 Android 操作系统。据悉，此次提升意在助力 OEM 厂商无需调整高通技术公司芯片组的相关软件，即可将其搭载骁龙移动平台的终端升级至 Android 操作系统的最新版本，并能够利用通用 Android 软件分支，对搭载高通技术公司骁龙移动平台的终端进行操...[详细]
如何解除 YAESU FRG-8800收音机频率覆盖限制

Radio Mods：解除八重洲老接收机FRG-8800的频率覆盖限制 Paolo Viappiani (SWL I1-11437)分享了以下内容。请注意，与任何无线电设备修改一样，执行此操作的风险由您自己承担。这是一个非常简单的修改，但如果您觉得它可能超出您的技能水平，请考虑聘请无线电技术人员代表您执行它。解除 YAESU FRG-8800 频率覆盖限制众所周知，由于某些国家（德国、澳...[详细]
苹果在自研Wi-Fi 7芯片预计iPhone 17 Pro系列采用

据外媒报道，外界普遍认为，在与高通之间因专利授权费而起的法律大战后，苹果在2019年，也就是他们与高通和解的那一年，就开始自研调制解调器，以减少在这一关键部件上对高通的依赖，增强对核心部件的掌控能力。而从外媒最新的报道来看，除了调制解调器，苹果在自研的芯片，还有Wi-Fi芯片，有分析师称苹果iPhone 17 Pro系列，就将搭载他们自研的Wi-Fi 7芯片。　　预计iPhone 17 ...[详细]
瑞萨推出全新RA8入门级MCU产品群，提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器

RA8E1与RA8E2提供理想的标量和矢量计算性能以及同类卓越的功能集，满足价值导向型市场需求 2024 年 11 月 5 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出RA8E1和RA8E2微控制器（MCU）产品群，进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。 2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU，实现市场领先...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看