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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4S510632B-TL1H
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K4S510632B-TL1H

产品描述Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4S510632B-TL1H概述

Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

K4S510632B-TL1H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

K4S510632B-TL1H文档预览

K4S510632B
Preliminary
CMOS SDRAM
Stacked 512Mbit SDRAM
32M x 4bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
LVTTL
Revision 0.1
March 2001
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without
Rev. 0.1 Mar.2001
K4S510632B
Preliminary
CMOS SDRAM
Revision History
Revision 0.0 (Feb., 2001)
Revision 0.1 (Mar,, 2001)
• Changed the input capacitance of CS0~1
Rev. 0.1 Mar.2001
K4S510632B
32M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
FEATURES
• JEDEC standard 3.3V power supply
• LVTTL compatible with multiplexed address
• Four banks operation
• MRS cycle with address key programs
-. CAS latency (2 & 3)
-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)
-. Burst type (Sequential & Interleave)
• All inputs are sampled at the positive going edge of the system
clock.
• Burst read single-bit write operation
• DQM for masking
• Auto & self refresh
• 64ms refresh period (8K Cycle)
Preliminary
CMOS SDRAM
GENERAL DESCRIPTION
The K4S510632B is 536,870,912 bits synchronous high data rate
Dynamic RAM organized as 4 x 33,554,432 words by 4 bits, fabri-
cated with SAMSUNG's high performance CMOS technology. Syn-
chronous design allows precise cycle control with the use of
system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.
Range of operating frequencies, programmable burst length and
programmable latencies allow the same device to be useful for a
variety of high bandwidth, high performance memory system appli-
cations.
ORDERING INFORMATION
Part No.
K4S510632B-TC/L75
K4S510632B-TC/L1H
K4S510632B-TC/L1L
Max Freq.
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
Interface
Package
54pin
TSOP(II)
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CLK,CAS,RAS
/WE,CKE,DQM
/CS1
64Mx4
64Mx4
/CS0
DQ0 ~ DQ3
A0~A12,BA0,BA1
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Staktek’ stacking technology is Samsung’ stacking technology of choice.
s
s
Rev. 0.1 Mar.2001
K4S510632B
PIN CONFIGURATION (Top view)
V
DD
N.C
V
DDQ
N.C
DQ0
V
SSQ
N.C
N.C
V
DDQ
N.C
DQ1
V
SSQ
N.C
V
DD
CS1
WE
CAS
RAS
CS0
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
N.C
V
SSQ
N.C
DQ3
V
DDQ
N.C
N.C
V
SSQ
N.C
DQ2
V
DDQ
N.C
V
SS
N.C/RFU
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
Preliminary
CMOS SDRAM
54Pin TSOP (II)
(400mil x 875mil)
(0.8 mm Pin pitch)
PIN FUNCTION DESCRIPTION
Pin
CLK
CS0~1
Name
System clock
Chip select
Input Function
Active on the positive going edge to sample all inputs.
Disables or enables device operation by masking or enabling all inputs except
CLK, CKE and DQM
Masks system clock to freeze operation from the next clock cycle.
CKE should be enabled at least one cycle prior to new command.
Disable input buffers for power down in standby.
Row/column addresses are multiplexed on the same pins.
Row address : RA
0
~ RA
12
, Column address : CA
0
~ CA
9,
CA
11
Selects bank to be activated during row address latch time.
Selects bank for read/write during column address latch time.
Latches row addresses on the positive going edge of the CLK with RAS low.
Enables row access & precharge.
Latches column addresses on the positive going edge of the CLK with CAS low.
Enables column access.
Enables write operation and row precharge.
Latches data in starting from CAS, WE active.
Makes data output Hi-Z, t
SHZ
after the clock and masks the output.
Blocks data input when DQM active.
Data inputs/outputs are multiplexed on the same pins.
Power and ground for the input buffers and the core logic.
Isolated power supply and ground for the output buffers to provide improved noise
immunity.
CKE
Clock enable
A
0
~ A
12
BA
0
~ BA
1
RAS
CAS
WE
DQM
DQ
0
~
3
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
Address
Bank select address
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Data input/output mask
Data input/output
Power supply/ground
Data output power/ground
Rev. 0.1 Mar.2001
K4S510632B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Voltage on any pin relative to Vss
Voltage on V
DD
supply relative to Vss
Storage temperature
Power dissipation
Short circuit current
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
STG
P
D
I
OS
Value
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
2
50
Preliminary
CMOS SDRAM
Unit
V
V
°C
W
mA
Note : Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
DC OPERATING CONDITIONS
Recommended operating conditions (Voltage referenced to V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70°C)
Parameter
Supply voltage
Input logic high voltage
Input logic low voltage
Output logic high voltage
Output logic low voltage
Input leakage current
Symbol
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
Min
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
Typ
3.3
3.0
0
-
-
-
Max
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
Unit
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2mA
3
Note
Notes : 1. V
IH
(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is
≤
3ns.
2. V
IL
(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is
≤
3ns.
3. Any input 0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.
CAPACITANCE
Clock
RAS, CAS, WE, DQM
Address,CKE
CS0~1
DQ
0
~ DQ
8
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 23°C, f = 1MHz, V
REF
=1.4V
±
200 mV)
Pin
Symbol
C
CLK
C
IN
C
ADD
C
cs
C
OUT
Min
5.0
5.0
5.0
2.5
8.0
Max
9.0
10.0
10.0
6.5
14.0
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
Note
Rev. 0.1 Mar.2001
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K4S510632B-TL1H相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 5.4 ns 6 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 133 MHz 100 MHz 133 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128MX4 128MX4 128MX4 128MX4 128MX4 128MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.225 mA 0.235 mA 0.225 mA 0.235 mA 0.225 mA 0.225 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

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