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RD10ES-T1AB3

产品描述Zener Diode, 10.11V V(Z), 2.82%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小417KB,共10页
制造商NEC(日电)
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RD10ES-T1AB3概述

Zener Diode, 10.11V V(Z), 2.82%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,

RD10ES-T1AB3规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10.11 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差2.82%
工作测试电流5 mA
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