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SVC211

产品描述37 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SVC211概述

37 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SVC211规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
标称二极管电容42 pF
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-609代码e0
最小质量因数100
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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Ordering number :EN684E
SVC211SPA
Diffused Junction Type Sillicon Diode
Varactor Diode (IOCAP)
for FM Low-Voltage Electronic Tuning
Features
· Twin type varactor diode being excellent in large
input characteristic and intended for use in high-
voltatge FM electronic applications.
Package Dimensions
unit:mm
1129
[SVC211SPA]
C:Cathode
A:Anode
SANYO:SPA
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VR
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
–32
125
–55 to 125
Unit
V
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Breakdown Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance*
Capacitance Ratio*
Quality Factor
Symbol
V(BR)R
IR
C3.0V
C25V
CR
Q
IR=–10µA
VR=–30V
VR=–3.0V, f=1MHz
VR=–25V, f=1MHz
C3.0V/C25V, f=100MHz
VR=–3.0V, f=100MHz
37.0
14.8
2.32
100
Conditions
Ratings
min
–32
–50
42.0
18.2
2.55
typ
max
Unit
V
nA
pF
pF
Note)*:Capacitance value of one diode
Electrical Connection
A:Anode
C:Cathode
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/3019MO/6163KI, TS No.684-1/3

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SVC211 SVC211SPA
描述 37 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 37 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
标称二极管电容 42 pF 37 pF
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
最小质量因数 100 100
最大重复峰值反向电压 30 V 32 V
表面贴装 NO NO
Base Number Matches 1 1
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