SDF360JEBVHU1Z,SDF360JEBVHU1Z pdf中文资料,SDF360JEBVHU1Z引脚图,SDF360JEBVHU1Z电路-Datasheet-电子工程世界

SDF360JEBVHU1Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小69KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

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SDF360JEBVHU1Z概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, 3 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Solitron Devices Inc
零件包装代码	TO-259AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	25 A
最大漏源导通电阻	0.21 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	219 ns
最大开启时间（吨）	173 ns

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