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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N1482
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JANTXV2N1482

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N1482概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

JANTXV2N1482规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1916728212
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压55 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/207
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA
2N1479 JAN, JTX, JTXV
2N1480 JAN, JTX, JTXV
2N1481 JAN, JTX, JTXV
2N1482 JAN, JTX, JTXV
Processed per MIL-PRF-19500/207
MIL-PRF
QPL
DEVICES
NPN SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTOR
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base-Current
Total Power Dissipation @ T
A
= 25
0
C
Operating & Storage Junction
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
J
,
T
stg
2N1479
2N1481
40
60
2N1480
2N1482
55
100
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
0
C
12
1.5
1.0
1.0
-65 to +200
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Characteristics
Symbol
R
θ
JC
Max.
35
Symbol
0
Unit
C/W
TO-5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 50 mAdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
EB
= 1.5 Vdc, I
C
= 0.25 mA
dc
V
EB
= 1.5 Vdc, I
C
= 0.25 mA
dc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 30 Vdc
V
CB
= 50 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 12 Vdc
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
V
(BR)
CEO
40
55
60
100
5.0
5.0
10
Vdc
V
(BR)
CEX
Vdc
I
CBO
µAdc
I
EBO
µAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978)-794-1666 / (978) Fax: (978) 689-0803
03/98 REV: C
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JANTXV2N1482相似产品对比

JANTXV2N1482 JANTX2N1480 JANTX2N1481 JANTX2N1482 JANTXV2N1481 JANTXV2N1480
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid 1916728212 1916728194 1916728197 1916728200 1916728209 1916728206
零件包装代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 55 V 55 V 40 V 55 V 40 V 55 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 35 20 35 35 35 20
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/207 MIL-19500/207 MIL-19500/207 MIL-19500/207 MIL-19500/207 MIL-19500/207
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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