ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
控制类型 | INDEPENDENT CONTROL |
计数方向 | BIDIRECTIONAL |
系列 | ABT |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
长度 | 32.005 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER |
最大I(ol) | 0.048 A |
位数 | 9 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 24 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 38 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns |
传播延迟(tpd) | 7 ns |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BICMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
翻译 | N/A |
宽度 | 7.62 mm |
SN54ABT863JT | SN54ABT863FK | |
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描述 | ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP | QFN |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 | QCCN, LCC28,.45SQ |
针数 | 24 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
控制类型 | INDEPENDENT CONTROL | INDEPENDENT CONTROL |
计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
系列 | ABT | ABT |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | S-CQCC-N28 |
长度 | 32.005 mm | 11.43 mm |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER | BUS TRANSCEIVER |
最大I(ol) | 0.048 A | 0.048 A |
位数 | 9 | 9 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 24 | 28 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
输出极性 | TRUE | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | QCCN |
封装等效代码 | DIP24,.3 | LCC28,.45SQ |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
电源 | 5 V | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 38 mA | 38 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns | 7 ns |
传播延迟(tpd) | 7 ns | 7 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | BICMOS | BICMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD |
翻译 | N/A | N/A |
宽度 | 7.62 mm | 11.43 mm |
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