ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | QCCN, LCC28,.45SQ |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 控制类型 | INDEPENDENT CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | ABT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 |
| 长度 | 11.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 38 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns |
| 传播延迟（tpd） | 7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 11.43 mm |
| SN54ABT863FK | SN54ABT863JT | |
|---|---|---|
| 描述 | ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28 | ABT SERIES, 9-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFN | DIP |
| 包装说明 | QCCN, LCC28,.45SQ | DIP, DIP24,.3 |
| 针数 | 28 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION | WITH DUAL INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 控制类型 | INDEPENDENT CONTROL | INDEPENDENT CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | ABT | ABT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 | R-GDIP-T24 |
| 长度 | 11.43 mm | 32.005 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A | 0.048 A |
| 位数 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 28 | 24 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ | DIP24,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 38 mA | 38 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns | 7 ns |
| 传播延迟（tpd） | 7 ns | 7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 翻译 | N/A | N/A |
| 宽度 | 11.43 mm | 7.62 mm |
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