5962-01-389-1107概述

Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22

5962-01-389-1107规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code	_compli
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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5962-01-389-1107相似产品对比

	5962-01-389-1107	IDT7188LF	IDT7188LRT	IDT7188SF	IDT7188SRT	5962-01-326-2473	5962-01-286-1596
描述	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22	Standard SRAM, 16KX4, CMOS	Standard SRAM, 16KX4, CMOS	Standard SRAM, 16KX4, CMOS	Standard SRAM, 16KX4, CMOS	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22	Standard SRAM, 16KX4, 85ns, CMOS, CDIP22
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
内存密度	65536 bi	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	DIP22,.3	FL(UNSPEC)	DIE OR CHIP	FL(UNSPEC)	DIE OR CHIP	DIP22,.3	DIP22,.3
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	NOT SPECIFIED	225	225	225	260	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	30	30	30	6	30
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	e0
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	-	CERAMIC	-	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DFP	-	DFP	-	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	-	FLATPACK	-	IN-LINE	IN-LINE
最小待机电流	4.5 V	-	2 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
表面贴装	NO	YES	-	YES	-	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	-	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	-	FLAT	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	-	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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