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IDT7188LRT

产品描述Standard SRAM, 16KX4, CMOS
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文件大小546KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7188LRT概述

Standard SRAM, 16KX4, CMOS

IDT7188LRT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
I/O 类型COMMON
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
输出特性3-STATE
封装等效代码DIE OR CHIP
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最小待机电流2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

IDT7188LRT相似产品对比

IDT7188LRT 5962-01-389-1107 IDT7188LF IDT7188SF IDT7188SRT 5962-01-326-2473 5962-01-286-1596
描述 Standard SRAM, 16KX4, CMOS Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22 Standard SRAM, 16KX4, CMOS Standard SRAM, 16KX4, CMOS Standard SRAM, 16KX4, CMOS Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22 Standard SRAM, 16KX4, 85ns, CMOS, CDIP22
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
内存密度 65536 bit 65536 bi 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 DIE OR CHIP DIP22,.3 FL(UNSPEC) FL(UNSPEC) DIE OR CHIP DIP22,.3 DIP22,.3
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 NOT SPECIFIED 225 225 260 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 NOT SPECIFIED 30 30 6 30
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0
最小待机电流 2 V 4.5 V - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - TIN LEAD
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - -
封装主体材料 - CERAMIC CERAMIC CERAMIC - CERAMIC CERAMIC
封装代码 - DIP DFP DFP - DIP DIP
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE FLATPACK FLATPACK - IN-LINE IN-LINE
表面贴装 - NO YES YES - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE FLAT FLAT - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL
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