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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT41J128M8JP-15E:G
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MT41J128M8JP-15E:G

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.125ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78
产品类别存储    存储   
文件大小3MB，共211页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT41J128M8JP-15E:G概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.125ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78

MT41J128M8JP-15E:G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA78,9X13,32
针数78
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.125 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
JESD-609代码e1
长度11.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）260
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度8
最大压摆率0.49 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

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1Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Features
DDR3 SDRAM
MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
1.5V center-terminated push/pull I/O
Differential bidirectional data strobe
8n-bit prefetch architecture
Differential clock inputs (CK, CK#)
8 internal banks
Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
Programmable CAS READ latency (CL)
POSTED CAS ADDITIVE latency (AL)
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on
t
CK
Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
Self refresh mode
T
C
of 0°C to 95°C
– 64ms, 8192 cycle refresh at 0°C to 85°C
– 32ms, 8192 cycle refresh at 85°C to 95°C
Self refresh temperature (SRT)
Automatic self refresh (ASR)
Write leveling
Multipurpose register
Output driver calibration
Options
1
• Configuration
– 256 Meg x 4
– 128 Meg x 8
– 64 Meg x 16
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 78-ball (8mm x 11.5mm) Rev. G
– 78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. J
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 96-ball (8mm x 14mm) Rev. G
– 96-ball (8mm x 14mm) Rev. J
• Timing – cycle time
– 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133)
– 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
– 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
• Operating temperature
– Commercial (0°C
≤
T
C
≤
+95°C)
– Industrial (–40°C
≤
T
C
≤
+95°C)
• Revision
Note:
Marking
256M4
128M8
64M16
JP
DA
JT
TW
-093
-107
-125
-15E
-187E
None
IT
:G / :J
•
•
•
•
•
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the part
catalog search on
http://www.micron.com
for available offerings.
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Grade
-093
1, 2, 3, 4
-107
1, 2, 3
-125
1, 2
-15E
1
-187E
Notes:
1.
2.
3.
4.
Data Rate (MT/s)
2133
1866
1600
1333
1066
Target
t
RCD-
t
RP-CL
14-14-14
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
Backward compatible to 1066, CL = 7 (-187E).
Backward compatible to 1333, CL = 9 (-15E).
Backward compatible to 1600, CL = 11 (-125).
Backward compatible to 1866, CL = 13 (-107).
PDF: 09005aef826aa906
1Gb_DDR3_SDRAM.pdf - Rev. N 11/14 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

MT41J128M8JP-15E:G相似产品对比

MT41J128M8JP-15E:G MT41J256M4JP-15E:G MT41J64M16JT-15E:G MT41J128M8JP-125:G MT41J64M16JT-125E:G MT41J64M16JT-125:G MT41J256M4JP-125:G
描述 DDR DRAM, 128MX8, 0.125ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX4, 0.125ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM, 64MX16, 0.125ns, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX8, 0.1ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.1ns, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 256MX4, 0.1ns, CMOS, PBGA78, 8 X 11.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA78,9X13,32
针数 78 78 96 78 96 96 78
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B96 R-PBGA-B78 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B78
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 11.5 mm 11.5 mm 14 mm 11.5 mm 14 mm 14 mm 11.5 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 4 16 8 16 16 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 78 78 96 78 96 96 78
字数 134217728 words 268435456 words 67108864 words 134217728 words 67108864 words 67108864 words 268435456 words
字数代码 128000000 256000000 64000000 128000000 64000000 64000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 128MX8 256MX4 64MX16 128MX8 64MX16 64MX16 256MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
最长访问时间 0.125 ns 0.125 ns 0.125 ns 0.1 ns - 0.1 ns 0.1 ns
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz 667 MHz 667 MHz 800 MHz - 800 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON
交错的突发长度 8 8 8 8 - 8 8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA96,9X16,32 BGA78,9X13,32 - BGA96,9X16,32 BGA78,9X13,32
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V - 1.5 V 1.5 V
刷新周期 8192 8192 8192 8192 - 8192 8192
连续突发长度 8 8 8 8 - 8 8
最大压摆率 0.49 mA 0.315 mA 0.265 mA 0.6 mA - 0.3 mA 0.4 mA

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