HYB25M288180C-653,HYB25M288180C-653 pdf中文资料,HYB25M288180C-653引脚图,HYB25M288180C-653电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB25M288180C-653: 产品描述Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共96页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB25M288180C-653概述

Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62

HYB25M288180C-653规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA66,10X13,32
针数	62
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	53 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B62
JESD-609代码	e0
长度	11 mm
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	62
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA66,10X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.5 mm

HYB25M288180C-653相似产品对比

	HYB25M288180C-653	HYB25M288180C-745	HYB25R288180C-745	HYB25R288180C-653	HYB25R288180C-840	HYB25R288180C-845	HYB25M288180C-845	HYB25M288180C-840
描述	Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA66,10X13,32	TBGA, BGA66,10X13,32	TBGA, BGA66,10X13,32	FBGA-62	FBGA-62	FBGA-62	FBGA-62	FBGA-62
针数	62	62	62	62	62	62	62	62
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	53 ns	45 ns	45 ns	53 ns	40 ns	45 ns	45 ns	40 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz	711 MHz	711 MHz	600 MHz	800 MHz	800 MHz	800 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	62	62	62	62	62	62	62	62
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

HYB25M288180C-653

HYB25M288180C-653概述

HYB25M288180C-653规格参数

HYB25M288180C-653相似产品对比

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