TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.05 A |
| 最大漏源导通电阻 | 40 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK1830TE85R | 2SK1830TE85L | 2SK1830(TE85L,F) | |
|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal | TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal | Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A 3-Pin SSM T/R |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | , |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | Single |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.05 A | 0.05 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 40 Ω | 40 Ω | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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