2SK1830TE85L,2SK1830TE85L pdf中文资料,2SK1830TE85L引脚图,2SK1830TE85L电路-Datasheet-电子工程世界

2SK1830TE85L: 产品描述TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小272KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SK1830TE85L概述

TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

	2SK1830TE85L	2SK1830(TE85L,F)	2SK1830TE85R
描述	TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal	Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A 3-Pin SSM T/R	TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	,	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
配置	SINGLE	Single	SINGLE
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	YES	YES	YES
Base Number Matches	1	1	1
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
最小漏源击穿电压	20 V	-	20 V
最大漏极电流 (ID)	0.05 A	-	0.05 A
最大漏源导通电阻	40 Ω	-	40 Ω
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3
元件数量	1	-	1
端子数量	3	-	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子形式	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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