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U2GWJ2C42TE16R

产品描述DIODE 1 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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U2GWJ2C42TE16R概述

DIODE 1 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

U2GWJ2C42TE16R规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量2
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

U2GWJ2C42TE16R相似产品对比

U2GWJ2C42TE16R U2GWJ2C42TE16L
描述 DIODE 1 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 1 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 2 2
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1

 
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