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2SB554O

产品描述TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SB554O概述

TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power

2SB554O规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz
Base Number Matches1

2SB554O相似产品对比

2SB554O 2SB554R
描述 TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 180 V 180 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 40
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 6 MHz 6 MHz
Base Number Matches 1 1
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