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IS61NLF51218A-6.5B3

产品描述ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165
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文件大小574KB,共37页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61NLF51218A-6.5B3概述

ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165

IS61NLF51218A-6.5B3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
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