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UPD421000V-80L

产品描述Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
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文件大小375KB,共16页
制造商NEC(日电)
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UPD421000V-80L概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20

UPD421000V-80L规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PZIP-T20
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度10.16 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
宽度2.8 mm

 
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