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M28C64C-200MS1TR

产品描述8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
产品类别存储    存储   
文件大小244KB,共15页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M28C64C-200MS1TR概述

8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28

M28C64C-200MS1TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
其他特性32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS
数据保留时间-最小值40
JESD-30 代码R-PDSO-G28
长度17.9 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.5 mm

M28C64C-200MS1TR相似产品对比

M28C64C-200MS1TR M28C64C-150N6TR M28C64C-150MS6TR M28C64C-150MS1TR M28C64C-200MS6TR M28C64C-200N6TR
描述 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC TSOP SOIC SOIC SOIC TSOP
包装说明 SOP, LSSOP, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 SOP, SOP, LSSOP,
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 150 ns 150 ns 150 ns 200 ns 200 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
长度 17.9 mm 11.8 mm 17.9 mm 17.9 mm 17.9 mm 11.8 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP LSSOP SOP SOP SOP LSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 1.25 mm 2.65 mm 2.65 mm 2.65 mm 1.25 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.55 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.55 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.5 mm 8 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 8 mm
其他特性 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS - 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS
数据保留时间-最小值 40 40 - 40 40 40

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