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MX29F800CBTI-70G

产品描述Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共48页
制造商Macronix
官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx
标准
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MX29F800CBTI-70G概述

Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48

MX29F800CBTI-70G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1

MX29F800CBTI-70G相似产品对比

MX29F800CBTI-70G MX29F800CTTI-70G MX29F800CTMI-70G MX29F800CBMI-70G
描述 Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-175, SOP-44 Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-175, SOP-44
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TSOP1 TSOP1 SOIC SOIC
包装说明 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TSOP1, TSSOP48,.8,20 SOP-44 SOP, SOP44,.63
针数 48 48 44 44
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
其他特性 BOTTOM BOOT BLOCK TOP BOOT BLOCK TOP BOOT BLOCK BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度 8 8 8 8
启动块 BOTTOM TOP TOP BOTTOM
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
长度 18.4 mm 18.4 mm 28.5 mm 28.5 mm
内存密度 8388608 bi 8388608 bi 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 1,2,1,15 1,2,1,15 1,2,1,15 1,2,1,15
端子数量 48 48 44 44
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TSOP1 SOP SOP
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 TSSOP48,.8,20 SOP44,.63 SOP44,.63
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3 mm 3 mm
部门规模 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 12 mm 12 mm 12.6 mm 12.6 mm
JESD-609代码 e3 - e3 e3
端子面层 Matte Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn)
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