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MAR9067FSBAF

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDFP24,
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文件大小365KB,共10页
制造商Plessey Semiconductors Ltd
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MAR9067FSBAF概述

Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDFP24,

MAR9067FSBAF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Plessey Semiconductors Ltd
包装说明DFP, FL24,.4
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间125 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDFP-F24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量24
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DFP
封装等效代码FL24,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
最大待机电流0.0016 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V

MAR9067FSBAF相似产品对比

MAR9067FSBAF MAR9067XBBAF MAR9067XSBAF MAR9067CBBAF MAR9067FBBAF
描述 Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDFP24, Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDIP24, Standard SRAM, 16KX1, 125ns, CMOS, CDFP24,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Plessey Semiconductors Ltd Plessey Semiconductors Ltd Plessey Semiconductors Ltd Plessey Semiconductors Ltd Plessey Semiconductors Ltd
包装说明 DFP, FL24,.4 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP24,.6 DFP, FL24,.4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 125 ns 125 ns 125 ns 125 ns 125 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDFP-F24 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20 R-XDIP-T24 R-XDFP-F24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
端子数量 24 20 20 24 24
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DFP DIP DIP DIP DFP
封装等效代码 FL24,.4 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP24,.6 FL24,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE IN-LINE IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.0016 A 0.0016 A 0.0016 A 0.0016 A 0.0016 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
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