PJQ1900_R1_00001,PJQ1900_R1_00001 pdf中文资料,PJQ1900_R1_00001引脚图,PJQ1900_R1

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> PJQ1900_R1_00001

PJQ1900_R1_00001: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小333KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJQ1900_R1_00001概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道

PJQ1900_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.2A
栅源极阈值电压	900mV @ 250uA
漏源导通电阻	3Ω @ 20mA,1.2V
最大功率耗散（Ta=25°C）	900mW
类型	N沟道

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