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HY51V64800SLTF-60

产品描述Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, PLASTIC, TSOP2-34
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文件大小44KB,共1页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V64800SLTF-60概述

Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, PLASTIC, TSOP2-34

HY51V64800SLTF-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明SOP,
针数34
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G34
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量34
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.97 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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