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MAR5104CB9

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18,
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文件大小477KB,共7页
制造商Marconi Electronic Devices Inc
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MAR5104CB9概述

Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18,

MAR5104CB9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Marconi Electronic Devices Inc
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间135 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.012 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V

MAR5104CB9相似产品对比

MAR5104CB9 MAR5104CS2 MAS5104CS0 MAS5104FS2 MAS5104FS0 MAR5104CB1 MAR5104FB1 MAR5104FS0 MAR5104FS2
描述 Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CQFP24, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CQFP24, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CQFP24, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CQFP24, Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CQFP24,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 QFF, QFL24,.4SQ QFF, QFL24,.4SQ DIP, DIP18,.3 QFF, QFL24,.4SQ QFF, QFL24,.4SQ QFF, QFL24,.4SQ
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns 135 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 S-XQFP-F24 S-XQFP-F24 R-XDIP-T18 S-XQFP-F24 S-XQFP-F24 S-XQFP-F24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 24 24 18 24 24 24
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP QFF QFF DIP QFF QFF QFF
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 QFL24,.4SQ QFL24,.4SQ DIP18,.3 QFL24,.4SQ QFL24,.4SQ QFL24,.4SQ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK IN-LINE FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified)
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA 0.012 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT THROUGH-HOLE FLAT FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL QUAD QUAD QUAD
厂商名称 Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc - Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc Marconi Electronic Devices Inc
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - - - 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V

 
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