BTW68-200N概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-218

BTW68-200N规格参数

	BTW68-200N	BTW68-1200N	BTW66-200	BTW69-200N
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-218	35A, 1200V, SCR	30A, 200V, SCR	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-218
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
标称电路换相断开时间	100 µs	-	100 µs	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us	-	500 V/us	500 V/us
最大直流栅极触发电流	50 mA	-	50 mA	80 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	-	1.5 V	3 V
最大维持电流	75 mA	-	75 mA	150 mA
最大漏电流	3 mA	-	3 mA	6 mA
通态非重复峰值电流	420 A	-	200 A	525 A
最大通态电流	16000 A	-	20000 A	25000 A
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	125 °C
最低工作温度	-45 °C	-	-40 °C	-45 °C
断态重复峰值电压	200 V	-	200 V	200 V
表面贴装	NO	-	NO	NO
触发设备类型	SCR	-	SCR	SCR

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W