BTW66-200概述

30A, 200V, SCR

BTW66-200规格参数

	BTW66-200	BTW68-1200N	BTW69-200N	BTW68-200N
描述	30A, 200V, SCR	35A, 1200V, SCR	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-218	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-218
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant
标称电路换相断开时间	100 µs	-	100 µs	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us	-	500 V/us	500 V/us
最大直流栅极触发电流	50 mA	-	80 mA	50 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	-	3 V	3 V
最大维持电流	75 mA	-	150 mA	75 mA
最大漏电流	3 mA	-	6 mA	3 mA
通态非重复峰值电流	200 A	-	525 A	420 A
最大通态电流	20000 A	-	25000 A	16000 A
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-45 °C	-45 °C
断态重复峰值电压	200 V	-	200 V	200 V
表面贴装	NO	-	NO	NO
触发设备类型	SCR	-	SCR	SCR
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ