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BD830

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小354KB,共8页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BD830概述

Transistor,

BD830规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)75 MHz

BD830相似产品对比

BD830 BD826 BD828
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 75 MHz 75 MHz 75 MHz
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