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BU205: 产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小92KB，共1页; 制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]; 标准

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BU205概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

BU205规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A
基于收集器的最大容量	50 pF
集电极-发射极最大电压	700 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	2.5
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	115 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	10 W
最大功率耗散 (Abs)	10 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	8 MHz
VCEsat-Max	5 V

BU205相似产品对比

	BU205	2SD1168	2SD869	BDY73	BDY38	BU326	BDY20	BU208D	CDN055
描述	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A	5 A	4 A	15 A	6 A	6 A	15 A	5 A	5 A
集电极-发射极最大电压	700 V	400 V	600 V	60 V	40 V	325 V	60 V	700 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	10 W	50 W	50 W	115 W	115 W	75 W	120 W	60 W	50 W
最大功率耗散 (Abs)	10 W	50 W	50 W	117 W	115 W	75 W	115 W	60 W	50 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	-	-	-	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	-	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
最小直流电流增益 (hFE)	2.5	9	8	50	30	-	20	2.25	25
最高工作温度	115 °C	-	140 °C	175 °C	175 °C	200 °C	175 °C	115 °C	-
标称过渡频率 (fT)	8 MHz	-	3 MHz	0.8 MHz	1 MHz	6 MHz	1 MHz	4 MHz	4 MHz
VCEsat-Max	5 V	1 V	8 V	-	-	3 V	3 V	1 V	1 V

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