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BU326

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共1页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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BU326概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

BU326规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压325 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz
VCEsat-Max3 V

BU326相似产品对比

BU326 2SD1168 2SD869 BDY73 BDY38 BU205 BDY20 BU208D CDN055
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compli compli compliant compliant compliant compliant compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 5 A 4 A 15 A 6 A 3 A 15 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 325 V 400 V 600 V 60 V 40 V 700 V 60 V 700 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 75 W 50 W 50 W 115 W 115 W 10 W 120 W 60 W 50 W
最大功率耗散 (Abs) 75 W 50 W 50 W 117 W 115 W 10 W 115 W 60 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] - - - CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 - FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
最高工作温度 200 °C - 140 °C 175 °C 175 °C 115 °C 175 °C 115 °C -
标称过渡频率 (fT) 6 MHz - 3 MHz 0.8 MHz 1 MHz 8 MHz 1 MHz 4 MHz 4 MHz
VCEsat-Max 3 V 1 V 8 V - - 5 V 3 V 1 V 1 V
最小直流电流增益 (hFE) - 9 8 50 30 2.5 20 2.25 25

 
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