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2SD1940D

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220ML, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SD1940D概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220ML, 3 PIN

2SD1940D规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220ML
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压85 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz
Base Number Matches1

2SD1940D相似产品对比

2SD1940D 2SD1940F 2SD1940E
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220ML, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220ML, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220ML, 3 PIN
零件包装代码 TO-220ML TO-220ML TO-220ML
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 85 V 85 V 85 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 160 100
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 15 MHz 15 MHz 15 MHz
Objectid - 1483104492 1483104489
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