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2SB1387TZ

产品描述1500mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小134KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SB1387TZ概述

1500mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN

2SB1387TZ规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SB1387TZ相似产品对比

2SB1387TZ
描述 1500mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
零件包装代码 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A
集电极-发射极最大电压 120 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1

 
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