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2SD1266APQ

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SD1266APQ概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN

2SD1266APQ规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JEDEC-95代码TO-220
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2SD1266APQ相似产品对比

2SD1266APQ 2SD1266PQ
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
零件包装代码 SFM SFM
包装说明 SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 80 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
JEDEC-95代码 TO-220 TO-220
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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