VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
特高频波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CERAMIC PACKAGE-4 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | SOT121B |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 125 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 16 A |
最大漏极电流 (ID) | 16 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | O-CRFM-F4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 220 W |
最大功率耗散 (Abs) | 220 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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