JANSH2N7482T3,JANSH2N7482T3 pdf中文资料,JANSH2N7482T3引脚图,JANSH2N7482T3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSH2N7482T3

JANSH2N7482T3: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小204KB，共22页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

JANSH2N7482T3概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN

JANSH2N7482T3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	177 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	18 A
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.03 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

JANSH2N7482T3相似产品对比

	JANSH2N7482T3	JANTXVR2N7482T3	JANTXVR2N7483T3	JANSR2N7483T3	JANSH2N7484T3
描述	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN	TO-257AA, 3 PIN	TO-257AA, 3 PIN	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	177 mJ	117 mJ	110 mJ	110 mJ	87 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	60 V	60 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	18 A	18 A	18 A	18 A	18 A
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A	18 A	18 A	18 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3	R-XSFM-P3	R-XSFM-P3	R-CSFM-P3	S-XSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W	75 W	75 W	75 W	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A	72 A	72 A	72 A
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大漏源导通电阻	0.03 Ω	-	-	0.04 Ω	0.07 Ω
晶体管应用	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING
其他特性	-	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	ULTRA-LOW RESISTANCE	-
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
参考标准	-	MIL-19500/702	MIL-19500/702	MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)	-

推荐资源

LED灯饰产品基本组成: [hide]LED灯饰产品主要组成部分是：LED发光二极体、PCB电路板、外壳。这三种材料构成了灯饰产品的主体，也基本决定了灯饰产品的材料品质。LED产业近来在全球得到突飞猛进的发展，特别是装饰灯具，更是如火如荼，广泛地用于楼体轮廓、桥樑、广场等市政亮化工程，以及各旅馆、KTV、酒店、游乐场等娱乐场所。LED灯饰产品主要组成部分是：LED发光二极体、PCB电路板、外壳。这三种材料构成了灯饰产品的主...; 探路者 LED专区

9B96晶振不起振: 新做了5块9B96的板子，拿回来后发现不能下载程序。使用的是KEIL+Jlink V8 ,然后就检查JTAG连线，没有问题，接着检查3.3V供电，也没有问题，LDO也没有问题，最后发现测试晶振，发现晶振没有起振，测试晶振引脚电压，一个是2.4V，一个0.34V，示波器也测不到波形（测试开发板的晶振是可以测到波形的）。将开发板上的晶振换到新板子上也不行。检查发现开发板上片子是C5版本的，而新做得是B...; gha20028 微控制器 MCU

关于allegro17.2拓扑约束: 刚学习Allegro 在对照视频教程做拓扑约束时，打开SigXplorer后，set菜单下没有Constraints选项，是我破解得有问题吗？还是17.2操作有变化呢...; szc5b PCB设计

28335的clkout奇怪问题: 最近调28335，程序通过仿真器load运行和烧写进flash里运行都正常，但是clkout引脚输出确无信号。经测试epwm输出频率和ecap的ampwm模式的频率都是正常的，说明sysclkout应该正常啊。...; change_p 微控制器 MCU

请问这个低通滤波器的截止频率如何计算？: 请教一下大家：这个低通滤波器的截止频率是多少，如何计算？它是属于哪一种结构的呢？谢谢。...; PSIR 综合技术交流

颠覆3观的量子双缝实验: [flash]http://player.youku.com/player.php/sid/XMTYwMzY3Njg4OA==/v.swf[/flash]...; chenzhufly 聊聊、笑笑、闹闹

2020年第四季度：诺基亚智能手机市场占有率0.7%

HMD Global 是诺基亚品牌智能手机和功能手机的幕后推手，2017 年开局良好，但随着时间的推移，该公司无法跟上激烈的竞争。在 2020 年第四季度，诺基亚品牌在智能手机市场的占有率仅为 0.7%。通常，研究公司只在他们的免费报告中列出表现最好的品牌。因此，Counterpoint Research 的 2020 年第四季度全球智能手机市场免费报告不包括 HMD Global(诺基亚...[详细]
在反激式变压器设计中降低损耗的实用指南

开关电源（SMPS）有许多可能的拓扑结构，但对于负载低于150W的电路，最受欢迎的是反激式转换器。有些估计甚至表明高达75％的离线电源使用反激式拓扑。因此，许多电力系统设计者面临着开发反激式转换器电路的挑战。为了达到最佳性能、满足电气规格并保持在成本和空间限制之内，设计人员需要在设计中实现某种形式的定制；而反激式转换器最重要的定制元件是变压器。在设计工程界，变压器设计和原型构建通常被...[详细]
深度剖析：为什么存储器是产业的风向标？

存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出；1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇...[详细]
德州仪器推出针对业界领先PCI Express 器件的全新封装尺寸

2007 年 3 月 14日，北京讯日前，德州仪器 (TI) 宣布针对 XIO2000A 推出全新12x12 毫米封装尺寸。这款业界领先的 PCI Express 至 PCI 总线转换桥接器件主要针对 PCI Express 迷你卡与 ExpressCard，理想适用于板级空间有限的移动计算市场。 XIO2000A 现已开始供货。该器件采用 12x12 毫米封装尺寸，在延续业界标准 0.8 ...[详细]
黄牛感谢苹果 iPhone 6s换电池业务太火

iPhone 6s“关机门”最终解决方案是苹果推出“iPhone 6s意外关机问题计划”，免费为符合条件的用户更换电池。没想到的是，iPhone 6s出现问题想要更换电池的用户太多了，很多门店都出现排队的现象。“中国好黄牛”很快发现了商机，开始倒卖预约号，在春节来临前大发一笔。　　北京地区iPhone 6s用户表示，其一直想去苹果授权维修店把电池换了，但他附近的授权店几乎每天都排着40-50...[详细]
浅谈中国报警服务业市场现状及基本特点

经过三十多年的发展，中国报警服务业已经基本形成产业雏形，市场竞争加剧，资本市场未来博弈的又一个新战场。2010年《保安服务管理条例》的正式发布，并没有使得报警服务业进入发展的快速道，转眼进入2013年，随着《保安服务许可证》的逐步发放，市场逐渐迎来了春天，随着而来的是各路诸侯蜂拥而入，工程商转型报警服务商，社会闲散资本投入报警服务业，使得原有的报警服务商突然感觉“狼来了”，变革或者转型已...[详细]
天嵌开发板 TQ210 S5PV210 中断方式按键实现

中断在裸机开发中是非常重要的一项学习内容，之前学习过STM32的中断实现，是参考正点原子的代码，通过库函数的方式实现的，为了进一步深度理解其中的道理，此次通过天嵌的TQ210开发板实现中断方式。具体功能为，LED正常闪烁，当按键被按下的时候，通过串口打印信息，提示按键被按下，此过程不影响LED正常闪烁。中断执行过程具体如下图：根据示意图，可知道当有中断请求时，首先进行保护现场，然后跳...[详细]
乐视资金不稳，电动车项目或被搁浅

据路透社报道，或因面临严重的财务问题，乐视集团正打算出售其购置不足一年的硅谷办公用地，这再次从某一个侧面折射出这家中国科技巨头及其电动汽车项目正面临着资金来源不稳的困境。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。乐视资金不稳，电动车项目或被搁浅 2016年6月，乐视从雅虎手中购进了49英亩的办公用地，被乐视称为EcoCity。起初，乐视希望在美国市场能够站稳脚跟，为乐视超级...[详细]
三星悄然确认Exynos 9810 处理器，采用 10nm 工艺且有 AI 芯片

三星不仅仅是智能手机行业的领导者之一，同时还是手机芯片业的佼佼者。而三星下一代 Galaxy S9 旗舰级手机，按照一贯的战略，必定是用自己家的处理器。这个新的处理器，就是 Exynos 9810 处理器。三星今天在宣布自己 CES 2018 创新奖名单时，首次公开确认了 Exynos 9810 移动 SoC 芯片。但三星并未公布详细的 Exynos 9810 规格细节，只表示这是一款采用...[详细]
米尔芯驰D9超强国产CPU，能跑安卓、Linux、RTOS

米尔能跑安卓、Linux、RTOS的国产核心板开发板你还记得缺芯、涨价的那段日子吗？近几年，因为贸易战、技术打压，芯片国产化已成为趋势。今天给大家推荐一款能跑安卓、Linux、RTOS的开发板，而且是车规级工业超强国产CPU。那就是米尔电子今年新推出的，基于芯驰D9系列核心板及开发板。芯驰D9有什么特点？ 1、D9处理器D9处理器是国产厂商芯驰推出的专为新一代电力智...[详细]
51单片机矩形按键控制16个LED灯亮灭和数码管显示

电路原理图程序 #include reg51.h #define uint unsigned int #define uchar unsigned char //函数声明 void delay(uint time); //延时函数 void display(uchar k); //数码管显示0-F以及LED灯的亮灭 uchar getKey(); //读取键盘的数值 //主...[详细]
如何找到在嵌入式设计中调试混合信号的正确方式？

当今的嵌入式设计工程师在面临微处理器、FPGA、模数转换器(ADC) 和数模转换器(DAC) 等等集成电路带来了独特的测量挑战中，有时需要解码两个IC 之间的SPI 总线，同时在同一块系统电路板上观察ADC 的输入和输出。在广大工程师面对嵌入式设计中如何同时调试多个串行协议？面对不同的测试需求，如何选择合适的测试工具？泰克MSO/MDO系列混合信号示波器来帮您。一、MSO/MDO...[详细]
手机市场放缓台湾芯片业出现整合并购潮

腾讯科技讯在过去三四年的智能手机普及浪潮中，台湾半导体产业也受益良多。除了众所周知的手机应用处理器供应商联发科之外，还有大量的台湾半导体厂商进入了手机上游供应链。不过据外媒报道，伴随着全球智能手机增速开始放缓，台湾芯片产业也开始主动调整，通过整合和并购，寻求提升市场份额，或是寻找手机之后新的芯片产业舞台。在过去几年的爆发式增长背后，全球智能手机市场已经出现了放缓。美国科技市场咨询公...[详细]
普华永道：去年中国消耗全球1/3芯片

据国外媒体报道，普华永道日前表示，去年中国电子产品厂商消耗的芯片首次超过了全球芯片总产量的三分之一。　　普华永道在《中国对半导体产业的影响：2008年》年度报告中称，在电子产品制造业增长的推动下，2007年中国消耗了价值约880亿美元的芯片，同比增长了23%，连续三年居全球之首。　　普华永道芯片分析部门负责人拉曼·奇特卡拉(Raman Chitkara)表示，中国市场芯片消耗增速超...[详细]
城市场景中自动驾驶车辆基于高精度地图的视觉语义定位

摘要高度精确且鲁棒的定位能力对于城市场景中自动驾驶车辆（AVs）至关重要。传统的基于视觉的方法由于光照、天气、视角和外观变化而导致定位丢失。在本文中，我们提出一种新型的视觉语义定位算法，它基于高精度地图和具有紧凑表达的语义特征。语义特征广泛出现在城市道路，并且对于光照、天气、视角和外观变化具有鲁棒性。重复的结构、漏检和误检使得数据关联（DA）具有高度奇异性。为此，本文提出了一种考虑局部结构一致...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多