HY62LF16404D-DF85I,HY62LF16404D-DF85I pdf中文资料,HY62LF16404D-DF85I引脚图,HY62LF16404D-DF85I电路-Datasheet-电子工程世界

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HY62LF16404D-DF85I: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小127KB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY62LF16404D-DF85I概述

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

HY62LF16404D-DF85I规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最大待机电流	0.000012 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6 mm

HY62LF16404D-DF85I相似产品对比

	HY62LF16404D-DF85I	HY62LF16404D-DF70I	HY62LF16404D-SF85I	HY62LF16404D-SF70I
描述	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48	48	48	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	85 ns	70 ns	85 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm
最大待机电流	0.000012 A	0.000012 A	0.000006 A	0.000006 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm

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