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2SC4871-TL: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小65KB，共4页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SC4871-TL概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN

2SC4871-TL规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1417104631
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
YTEOL	0
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.02 A
基于收集器的最大容量	0.7 pF
集电极-发射极最大电压	8 V
配置	SINGLE
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10000 MHz

2SC4871-TL相似产品对比

	2SC4871-TL	2SC4871-3	2SC4871-5	2SC4871-4
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, MCP, 3 PIN
Objectid	1417104631	1544600605	1544600607	1544600606
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
基于收集器的最大容量	0.7 pF	0.7 pF	0.7 pF	0.7 pF
集电极-发射极最大电压	8 V	8 V	8 V	8 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz
最小直流电流增益 (hFE)	-	60	135	90
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	-	0.1 W	0.1 W	0.1 W

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