100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
100 mA, 50 V, 2 通道, NPN和PNP, 硅, 小信号晶体管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | PLASTIC, UMT6, SC-88, 6 PIN |
针数 | 6 |
制造商包装代码 | SOT363 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PUMD10,115 | PEMD10/DG,115 | PEMD10,115 | PUMD10,135 | PUMD10,125 | PUMD10/DG,115 | |
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描述 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
Brand Name | NXP Semiconduc | - | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | - |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | - |
零件包装代码 | TSSOP | - | SOT | TSSOP | TSSOP | - |
针数 | 6 | - | 6 | 6 | 6 | - |
制造商包装代码 | SOT363 | - | SOT666 | SOT363 | SOT363 | - |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli | - |
元件数量 | 2 | 2 | 2 | - | - | 2 |
端子数量 | 6 | 6 | 6 | - | - | 6 |
表面贴装 | YES | Yes | YES | - | - | Yes |
端子形式 | GULL WING | FLAT | FLAT | - | - | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - | - | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | - | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | - | SILICON |
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